K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646E-BYK0 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BCNB メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646E-BYK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung
K4B4G1646E-BCNB ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $13.52 | $1.80 |
| メモリタイプ | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| データレート | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| 動作温度 | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| ピン数 | 96 | — |
| インターフェースタイプ | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |