K4B4G1646E-BCNB vs K4B4G1646E-BYK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BCNB 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646E-BYK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BCNB | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.52 | $1.80 |
| 메모리 유형 | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0°C to +95°C (TC) |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| Refresh | 8K / 64 ms | — |
| Burst Length | 8, 4 (fixed) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Write Recovery Time | [DATA_NEEDED: tWR] | — |
| Row Cycle Time | [DATA_NEEDED: tRC] | — |
| Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay | [DATA_NEEDED: tRCD] | — |
| Row Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRP] | — |
| Active to Precharge Time | [DATA_NEEDED: tRAS] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |