K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63CFR-H9J 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BMK0 メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63CFR-H9J メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $6.00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | — |
| パッケージ | 96-FBGA | 96-ball TFBGA |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| データレート | 1600 Mbps | — |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |