K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63CFR-H9J 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646E-BMK0 제조: Samsung Electronics 및 H5TC4G63CFR-H9J 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 96-FBGA | 96-ball TFBGA |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | — |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |