K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63CFR-H9J Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMK0 par Samsung Electronics et H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-ball TFBGA |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | — |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |