K4B4G1646E-BMK0 vs H5TC4G63CFR-H9J Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BMK0 por Samsung Electronics y H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BMK0 | H5TC4G63CFR-H9J |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-ball TFBGA |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | — |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V +0.100/-0.067V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | Industrial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |