K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BYK00 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BMMA メーカー: Samsung Electronics および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $16.08 | $7.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データレート | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| 動作温度 | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| パッケージ | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |