K4B4G1646E-BMMA vs K4B4G1646D-BYK00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BMMA par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BYK00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BMMA | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $16,08 | $7,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C to 85°C |
| Boîtier | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination | Yes (Dynamic ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Sans halogène | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |