K4RAH086VE-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK 比較

詳細な並列比較: K4RAH086VE-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RBH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RAH086VE-BCWM K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics

K4RAH086VE-BCWM ✓ 生産中
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K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RAH086VE-BCWM K4RBH086VB-BCQK
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.60 $0.00
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gb
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
データレート 5600 Mbps 4800 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
パッケージ 82-ball FBGA FBGA-82
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Generation DDR5 —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] —
VDDQ Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ value] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
ライフサイクル状態 Mass Production —
Manufacturer Samsung Electronics —
インターフェース — DDR5 (CA bus, ODECC)
On-die ECC — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]

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