K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VE-BCWM メーカー: Samsung Electronics および PDRQL8KCBF12-00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $7.60 | $18.00 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| パッケージ | 82-ball FBGA | FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| ライフサイクル状態 | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| 電源電圧 | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| インターフェース | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |