K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VE-BCWM von Samsung Electronics und PDRQL8KCBF12-00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,60 | $18,00 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Gehäuse | 82-ball FBGA | FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Lebenszyklusstatus | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Schnittstelle | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |