K4RAH086VE-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VE-BCWM от Samsung Electronics и PDRQL8KCBF12-00 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps DRAM | Samsung Electronics
K4RAH086VE-BCWM ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VE-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,60 | $18,00 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 5600 Mbps | 7200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Корпус | 82-ball FBGA | FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Generation | DDR5 | — |
| Bank Groups | [DATA_NEEDED: bank group count] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL at 5600 Mbps] | — |
| VDDQ Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ value] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | Auto-refresh and self-refresh |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Статус жизненного цикла | Mass Production | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Напряжение питания | — | 1.1 V |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| On-die ECC | — | Yes |
| Интерфейс | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |