K4S561633FZN75 vs K4S561633F-ZL75 比較

詳細な並列比較: K4S561633FZN75 メーカー: Samsung Electronics および K4S561633F-ZL75 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

仕様比較

パラメータ K4S561633FZN75 K4S561633F-ZL75
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 NRND NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.52 $2.50
メモリタイプ Mobile SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM (Mobile SDRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
メモリ構成 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks)
Clock Frequency 133 MHz —
データレート PC133 (SDRAM) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range —
インターフェース LVCMOS —
CASレイテンシ Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page (programmable) 1, 2, 4, 8, Full Page
パッケージ 54-ball FBGA (54BOC) 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA
動作温度 Commercial grade (per -ZN75 suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Process Technology Samsung high-performance CMOS —
Refresh Auto-Refresh and Self-Refresh —
Power Modes Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix —
Bank Architecture 4 internal banks —
Row Address A0-A12 (13-bit) —
Data Width x16 (DQ0-DQ15) —
Operating Frequency (max) — 133 MHz
Clock Access Time — 5.4 ns
Speed Grade — ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz)
Supply Voltage (VDD) — 3.3 V
I/O Standard — LVCMOS-compatible
Number of Banks — 4
Burst Type — Sequential or Interleave
実装タイプ — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Pb-Free (per -L75 suffix)

データシート&リソース

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