K4S561633FZN75 vs K4S561633F-ZL75 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4S561633FZN75 제조: Samsung Electronics 및 K4S561633F-ZL75 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4S561633F-ZL75 K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 - 256Mb Mobile SDRAM, 4x16Mx16, 133MHz, 54-BGA

K4S561633F-ZL75 Nrnd

사양 비교

파라미터 K4S561633FZN75 K4S561633F-ZL75
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 NRND NRND
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.52 $2.50
메모리 유형 Mobile SDRAM (Synchronous DRAM) Synchronous DRAM (Mobile SDRAM)
Density 256 Mbit (268,435,456 bits) 256 Mbit (268,435,456 bits)
메모리 구성 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits 4 banks x 4,196,304 words x 16 bits (4M x 16 x 4 banks)
Clock Frequency 133 MHz —
데이터 속도 PC133 (SDRAM) —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 3.0 V (typ); 2.7 V-3.3 V range —
인터페이스 LVCMOS —
CAS 레이턴시 Programmable, 2 or 3 Programmable, 2 or 3
Burst Length 1, 2, 4, 8, full page (programmable) 1, 2, 4, 8, Full Page
패키지 54-ball FBGA (54BOC) 54-ball FBGA (54-BOC) / TFBGA
동작 온도 Commercial grade (per -ZN75 suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Process Technology Samsung high-performance CMOS —
Refresh Auto-Refresh and Self-Refresh —
Power Modes Power-Down mode, Partial Array Self-Refresh (PASR) —
Lead-Free / RoHS Pb-free (lead-free) - per '-ZN' suffix —
Bank Architecture 4 internal banks —
Row Address A0-A12 (13-bit) —
Data Width x16 (DQ0-DQ15) —
Operating Frequency (max) — 133 MHz
Clock Access Time — 5.4 ns
Speed Grade — ZL75 (7.5 ns / CAS Latency 3, 133 MHz)
Supply Voltage (VDD) — 3.3 V
I/O Standard — LVCMOS-compatible
Number of Banks — 4
Burst Type — Sequential or Interleave
실장 유형 — Surface Mount
RoHS / Lead-Free — Pb-Free (per -L75 suffix)

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