K6X4008C1F-MF55 vs K6X4008C1F-MF55000 比較
詳細な並列比較: K6X4008C1F-MF55 メーカー: Samsung Electronics および K6X4008C1F-MF55000 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K6X4008C1F-MF55000 - 512Kx8 5V Async SRAM, 55ns | Samsung
K6X4008C1F-MF55000 ✗ 生産終了仕様比較
| パラメータ | K6X4008C1F-MF55 | K6X4008C1F-MF55000 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 製造終了 | 製造終了 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.70 | $6.45 |
| メモリタイプ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| メモリ構成 | 512K x 8 bit | 512K x 8 |
| メモリサイズ | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| 電源電圧 | 5 V | 5 V |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| パッケージ | TSOP2-32 (0.400 inch, REVERSE) | 32-TSOP (reverse orientation, MF) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Retention | Supported, low data retention voltage/current for battery backup | Low data retention voltage supported (battery backup) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Lines | 19 (A0-A18) | — |
| Data Lines | 8 (I/O1-I/O8) | — |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: typical active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| I/O Type | — | TTL-compatible, 3-state |
| Density Class | — | Parallel SRAM, 4Mbit class |