K6X4008C1F-MF55 vs K6X4008C1F-MF55000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X4008C1F-MF55 par Samsung Electronics et K6X4008C1F-MF55000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X4008C1F-MF55000 - 512Kx8 5V Async SRAM, 55ns | Samsung
K6X4008C1F-MF55000 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X4008C1F-MF55 | K6X4008C1F-MF55000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,70 | $6,45 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 bit | 512K x 8 |
| Taille de mémoire | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Tension d'alimentation | 5 V | 5 V |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| Boîtier | TSOP2-32 (0.400 inch, REVERSE) | 32-TSOP (reverse orientation, MF) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Retention | Supported, low data retention voltage/current for battery backup | Low data retention voltage supported (battery backup) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Lines | 19 (A0-A18) | — |
| Data Lines | 8 (I/O1-I/O8) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: typical active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| I/O Type | — | TTL-compatible, 3-state |
| Density Class | — | Parallel SRAM, 4Mbit class |