K6X4008C1F-MF55 vs K6X4008C1F-MF55000 비교
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Samsung Electronics
K6X4008C1F-MF55000 - 512Kx8 5V Async SRAM, 55ns | Samsung
K6X4008C1F-MF55000 ✗ 단종사양 비교
| 파라미터 | K6X4008C1F-MF55 | K6X4008C1F-MF55000 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.70 | $6.45 |
| 메모리 유형 | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| 메모리 구성 | 512K x 8 bit | 512K x 8 |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | 4 Mbit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| 패키지 | TSOP2-32 (0.400 inch, REVERSE) | 32-TSOP (reverse orientation, MF) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Retention | Supported, low data retention voltage/current for battery backup | Low data retention voltage supported (battery backup) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Lines | 19 (A0-A18) | — |
| Data Lines | 8 (I/O1-I/O8) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: typical active current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |
| I/O Type | — | TTL-compatible, 3-state |
| Density Class | — | Parallel SRAM, 4Mbit class |