K9HCG08U1M vs K9XXG08UXM 比較

詳細な並列比較: K9HCG08U1M メーカー: Samsung Electronics および K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ 生産中
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

仕様比較

パラメータ K9HCG08U1M K9XXG08UXM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $0.00
Memory Technology MLC NAND Flash —
Total Capacity 64 Gbit —
メモリ構成 8G x 8 —
データバス幅 8 bit —
インターフェースタイプ Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) —
電源電圧 [DATA_NEEDED: supply voltage] 2.7 V to 3.6 V
Page Size [DATA_NEEDED: page size] (2K + 64) Byte
Block Size [DATA_NEEDED: block size] (256K + 8K) Byte
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: read time] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: program time] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
パッケージ TSOP-48 (PDSO48) 48-pin TSOP
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +105C (TA) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Ready/Busy Output Yes (R/B#) —
Die Technology Samsung E-die (per datasheet family) —
Full Ordering Code K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 —
メモリサイズ — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Cell Type — SLC (single-level cell) NAND
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

データシート&リソース

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