K9HCG08U1M vs K9XXG08UXM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9HCG08U1M par Samsung Electronics et K9XXG08UXM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ Actif
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre K9HCG08U1M K9XXG08UXM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Memory Technology MLC NAND Flash —
Total Capacity 64 Gbit —
Organisation de la mémoire 8G x 8 —
Largeur du bus de données 8 bit —
Type d'interface Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage] 2.7 V to 3.6 V
Page Size [DATA_NEEDED: page size] (2K + 64) Byte
Block Size [DATA_NEEDED: block size] (256K + 8K) Byte
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: read time] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: program time] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Boîtier TSOP-48 (PDSO48) 48-pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +105C (TA) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Ready/Busy Output Yes (R/B#) —
Die Technology Samsung E-die (per datasheet family) —
Full Ordering Code K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 —
Taille de mémoire — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Cell Type — SLC (single-level cell) NAND
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fiches techniques et ressources

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