K9HCG08U1M vs K9XXG08UXM Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9HCG08U1M por Samsung Electronics e K9XXG08UXM por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ Ativo
Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro K9HCG08U1M K9XXG08UXM
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Memory Technology MLC NAND Flash —
Total Capacity 64 Gbit —
Organização da memória 8G x 8 —
Largura do barramento de dados 8 bit —
Tipo de interface Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) —
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: supply voltage] 2.7 V to 3.6 V
Page Size [DATA_NEEDED: page size] (2K + 64) Byte
Block Size [DATA_NEEDED: block size] (256K + 8K) Byte
Read Time (tR) [DATA_NEEDED: read time] —
Program Time (tPROG) [DATA_NEEDED: program time] —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance] —
Encapsulamento TSOP-48 (PDSO48) 48-pin TSOP
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +105C (TA) [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Ready/Busy Output Yes (R/B#) —
Die Technology Samsung E-die (per datasheet family) —
Full Ordering Code K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 —
Tamanho da memória — 2G x 8 Bit (2Gb)
Memory Cell Array Organization — (1G + 32M) bit x 8 bit
Data Register — (2K + 64) bit x 8 bit
Program Operation — Automatic Page Program, (2K + 64) Byte
Erase Operation — Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte
I/O Interface — 8-bit multiplexed address/data/command
Control Signals — CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B
Cell Type — SLC (single-level cell) NAND
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: Access Time]
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS Status]

Fichas técnicas e recursos

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