M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 比較

詳細な並列比較: M29F200FT55M3F2 メーカー: Micron Technology および M29F800FT55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 生産中
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M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F200FT55M3F2 M29F800FT55M3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs EEPROM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $3.95
メモリタイプ Parallel NOR Flash NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 8389 kbits
メモリ構成 256K x 8 / 128K x 16 512K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
パッケージ 44-pin SO (TSOP) 44-SO (SOP)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
メモリサイズ — 8 Mbit
インターフェース — Parallel
電源電圧 — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

データシート&リソース

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