M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55M3F2 от Micron Technology и M29F800FT55M3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive
M29F200FT55M3F2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,85 | $3,95 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 8389 kbits |
| Организация памяти | 256K x 8 / 128K x 16 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller, byte or word | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Yes | — |
| Корпус | 44-pin SO (TSOP) | 44-SO (SOP) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Number of Words (x16 mode) | 128 K | — |
| Bits per Word (x16 mode) | 16 bits | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Размер памяти | — | 8 Mbit |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |