M29F200FT55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 비교
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Micron Technology
M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive
M29F200FT55M3F2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F200FT55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.85 | $3.95 |
| 메모리 유형 | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 8389 kbits |
| 메모리 구성 | 256K x 8 / 128K x 16 | 512K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Programming Interface | Embedded program/erase controller, byte or word | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Yes | — |
| 패키지 | 44-pin SO (TSOP) | 44-SO (SOP) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Number of Words (x16 mode) | 128 K | — |
| Bits per Word (x16 mode) | 16 bits | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Mbit |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |