M29W064FT70N3F vs M29W800FT70ZA3SF 比較

詳細な並列比較: M29W064FT70N3F メーカー: Micron Technology および M29W800FT70ZA3SF メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ 生産中
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M29W800FT70ZA3SF M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W064FT70N3F M29W800FT70ZA3SF
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.30 $2.05
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Density 64 Mbit 8 Mbit
メモリ構成 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase, read —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
インターフェース Parallel Parallel
Boot Block Configuration Top boot block (FT) Top boot block (FT)
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
パッケージ 48-TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Programming Method Command set / data polling / toggle bit —
Block Protection Yes, with temporary unprotection —
Product Longevity Program No —
Width x8/x16 —
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
電源電圧 — 2.7 V to 3.6 V
Memory Organization — [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Package Body Size — 6 x 8 mm
Ball Pitch — 0.80 mm

データシート&リソース

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