M29W064FT70N3F vs M29W800FT70ZA3SF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W064FT70N3F от Micron Technology и M29W800FT70ZA3SF от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SF M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W064FT70N3F M29W800FT70ZA3SF
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,30 $2,05
Тип памяти NOR Flash NOR Flash
Density 64 Mbit 8 Mbit
Организация памяти 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase, read —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Интерфейс Parallel Parallel
Boot Block Configuration Top boot block (FT) Top boot block (FT)
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 48-TSOP I 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Programming Method Command set / data polling / toggle bit —
Block Protection Yes, with temporary unprotection —
Product Longevity Program No —
Width x8/x16 —
Статус RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Напряжение питания — 2.7 V to 3.6 V
Memory Organization — [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Package Body Size — 6 x 8 mm
Ball Pitch — 0.80 mm

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену