M29W064FT70N3F vs M29W800FT70ZA3SF Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W064FT70N3F por Micron Technology e M29W800FT70ZA3SF por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W064FT70N3F | M29W800FT70ZA3SF |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,30 | $2,05 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit | 8 Mbit |
| Organização da memória | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase, read | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | Top boot block (FT) |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 48-TFBGA (6 x 8 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Method | Command set / data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes, with temporary unprotection | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Width | x8/x16 | — |
| Status RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Tensão de alimentação | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Memory Organization | — | [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention years] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Package Body Size | — | 6 x 8 mm |
| Ball Pitch | — | 0.80 mm |