M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E 比較
詳細な並列比較: M29W128GH70N3E メーカー: Micron Technology および M29W064FT70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.00 | $0.00 |
| メモリタイプ | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| メモリサイズ | 128 Mbit (16 MB) | — |
| メモリ構成 | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| インターフェース | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 電源電圧 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| パッケージ | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| データバス幅 | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |