M29W128GH70N3E vs M29W064FT70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GH70N3E от Micron Technology и M29W064FT70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W064FT70N3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W128GH70N3E | M29W064FT70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Размер памяти | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Организация памяти | 8M x 16 / 16M x 8 | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 |
| Интерфейс | Parallel (asynchronous) | Parallel, CFI compliant |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Напряжение питания | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +85C |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Корпус | 56-TSOP | 48-TSOP |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Разрядность шины данных | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Density | — | 64 Mbit |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (FT) |
| Programming Voltage | — | Single 3 V supply (no separate VPP required) |
| Erase/Program Method | — | Command-set page programming, block erase |
| Product Longevity Program | — | No |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read supply current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |