M58BW16FB4ZA3F vs M58BW32FB5ZA3T 比較

詳細な並列比較: M58BW16FB4ZA3F メーカー: Micron Technology および M58BW32FB5ZA3T メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M58BW16FB4ZA3F M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F - 16Mbit Burst NOR Flash 45ns | Micron

M58BW16FB4ZA3F ✓ 生産中
Micron Technology
M58BW32FB5ZA3T M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T - 32Mbit Burst NOR Flash 55ns | Micron

M58BW32FB5ZA3T ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M58BW16FB4ZA3F M58BW32FB5ZA3T
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.48 $4.88
メモリタイプ NOR Flash, parallel burst FLASH - NOR Memory IC
メモリサイズ 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) 32 Mbit
Access Time 45 ns 55 ns
電源電圧 3.3 V nominal 3.3 V (single supply)
インターフェース Parallel, synchronous burst Parallel
メモリ構成 1M words x16, boot block x32 (Boot Block, Burst)
パッケージ 80-LBGA (10 x 12 mm) 80-LBGA (10 x 12 mm)
Number of Terminals 80 —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 -40C to +125C (automotive grade) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Application Grade Automotive —
Technology Boot Block NOR Flash —
Read Mode Asynchronous and synchronous burst read —
RoHS ステータス Compliant (3F lead-free suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lifecycle Active / legacy parallel NOR —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Burst Mode — Yes (synchronous burst read)
Block Architecture — Boot Block
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

データシート&リソース

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