M58BW16FB4ZA3F vs M58BW32FB5ZA3T 비교
다음의 상세 나란히 비교: M58BW16FB4ZA3F 제조: Micron Technology 및 M58BW32FB5ZA3T 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M58BW16FB4ZA3F | M58BW32FB5ZA3T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.48 | $4.88 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, parallel burst | FLASH - NOR Memory IC |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (1M x16 / 512K x32) | 32 Mbit |
| Access Time | 45 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 3.3 V nominal | 3.3 V (single supply) |
| 인터페이스 | Parallel, synchronous burst | Parallel |
| 메모리 구성 | 1M words x16, boot block | x32 (Boot Block, Burst) |
| 패키지 | 80-LBGA (10 x 12 mm) | 80-LBGA (10 x 12 mm) |
| Number of Terminals | 80 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +125C (automotive grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Application Grade | Automotive | — |
| Technology | Boot Block NOR Flash | — |
| Read Mode | Asynchronous and synchronous burst read | — |
| RoHS 상태 | Compliant (3F lead-free suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lifecycle | Active / legacy parallel NOR | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Burst Mode | — | Yes (synchronous burst read) |
| Block Architecture | — | Boot Block |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |