MMBF170LT1 vs 2N7002L 比較

詳細な並列比較: MMBF170LT1 メーカー: onsemi および 2N7002L メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ MMBF170LT1 2N7002L
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.09 $0.03
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Part Number MMBF170LT1 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
パッケージ / ケース SOT-23-3 (TO-236) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
RoHS ステータス Compliant (per onsemi product page) [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS High cell density trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
パッケージ — SOT-23 (SOT-23-3)
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

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