MMBF170LT1 vs 2N7002L Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMBF170LT1 par onsemi et 2N7002L par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MMBF170LT1 2N7002L
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,03
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Part Number MMBF170LT1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Boîtier / Format SOT-23-3 (TO-236) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Statut RoHS Compliant (per onsemi product page) [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS High cell density trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Boîtier — SOT-23 (SOT-23-3)
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

Fiches techniques et ressources

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