MMBF170LT1 vs 2N7002L Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBF170LT1 por onsemi e 2N7002L por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro MMBF170LT1 2N7002L
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,09 $0,03
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi
Part Number MMBF170LT1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 115 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Encapsulamento / Caixa SOT-23-3 (TO-236) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Status RoHS Compliant (per onsemi product page) [DATA_NEEDED: RoHS status]
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS High cell density trench MOSFET
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 7.5 ohm max at VGS = 5V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1 V to 2.5 V
Power Dissipation (PD) — 200 mW (Ta), 225 mW max
Encapsulamento — SOT-23 (SOT-23-3)
Configuration — Single FET
Switching Performance — Fast switching, rugged and reliable
Gate Drive — 5V logic-level enhancement mode
Typical Applications — Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting

Fichas técnicas e recursos

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