MT40A1G8WE-075E vs K4A8G165WB-BIWE 比較
詳細な並列比較: MT40A1G8WE-075E メーカー: Micron Technology および K4A8G165WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A1G8WE-075E | K4A8G165WB-BIWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $11.90 | $14.22 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (1G x 8) | — |
| データレート | 2666 MT/s (1.33 GHz) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Operating Temperature (TC) | -40°C to +105°C (industrial) | — |
| Refresh Time (8192 cycles) | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA (8x12mm) | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| I/O Type | 1.2V pseudo-open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 16 |
| CASレイテンシ | Programmable | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| AEC-Q100 | Optional (AIT variant) | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | -40°C to +95°C |
| インターフェース | — | Parallel |
| Refresh | — | Auto-refresh, Self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |