MT40A512M8SA-062E vs NT5AD512M16C4-JRU 比較

詳細な並列比較: MT40A512M8SA-062E メーカー: Micron Technology および NT5AD512M16C4-JRU メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M8SA-062E NT5AD512M16C4-JRU
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.35 $83.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 4 Gbit —
メモリ構成 512M x 8 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
データレート 3200 MT/s (DDR4-3200 class) —
Access Time 13.75 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply 2.5 V (-125 mV / +250 mV) —
インターフェース Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O CMOS, DDR4
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B 96-ball FBGA (PBGA96)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TC max) up to 95 degrees C —
Package Flow :F (lead-free / RoHS) —
実装スタイル SMD/SMT —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
動作温度 — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS ステータス — Green Product (per Nanya product page)

データシート&リソース

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