MT40A512M8SA-062E vs NT5AD512M16C4-JRU 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M8SA-062E 제조: Micron Technology 및 NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ 활성
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A512M8SA-062E NT5AD512M16C4-JRU
브랜드 Micron Technology Nanya Technology
카테고리 DRAM DRAM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.35 $83.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
메모리 크기 4 Gbit —
메모리 구성 512M x 8 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
데이터 속도 3200 MT/s (DDR4-3200 class) —
Access Time 13.75 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply 2.5 V (-125 mV / +250 mV) —
인터페이스 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O CMOS, DDR4
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
패키지 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B 96-ball FBGA (PBGA96)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (TC max) up to 95 degrees C —
Package Flow :F (lead-free / RoHS) —
장착 스타일 SMD/SMT —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
동작 온도 — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS 상태 — Green Product (per Nanya product page)

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