NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JR メーカー: Nanya Technology および AS4C512M16D4-75BIN メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Alliance Memory |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $73.75 | $8.99 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| データレート | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| 動作温度 | — | -40°C to +95°C |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| インターフェース | — | POD |
| ピン数 | — | 96 |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| 特長 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |