NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JR par Nanya Technology et AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $73,75 | $8,99 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |