NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-JR por Nanya Technology y AS4C512M16D4-75BIN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Activo
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5AD512M16C4-JR AS4C512M16D4-75BIN
Marca Nanya Technology Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $73,75 $8,99
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organización de memoria 512M x16 —
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Velocidad de datos 1.6 GHz (DDR4-3200) 2666 Mbps
Encapsulado TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13)
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Tamaño de memoria — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Tensión de alimentación — 1.2 V
Temperatura de funcionamiento — -40°C to +95°C
Tipo de montaje — Surface Mount
Interfaz — POD
Número de pines — 96
Estado RoHS — Compliant
Características — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

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