NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-JR von Nanya Technology und AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-JR | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $73,75 | $8,99 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x16 | — |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Datenrate | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2666 Mbps |
| Gehäuse | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13) |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | -40°C to +95°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | POD |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |