NT5AD512M16C4-JR vs AS4C512M16D4-75BIN Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-JR от Nanya Technology и AS4C512M16D4-75BIN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BIN ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5AD512M16C4-JR AS4C512M16D4-75BIN
Бренд Nanya Technology Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $73,75 $8,99
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x16 —
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Скорость передачи данных 1.6 GHz (DDR4-3200) 2666 Mbps
Корпус TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13)
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Размер памяти — 8 Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Clock Frequency — 1.333 GHz
Access Time — 18 ns
Write Cycle Time — 15 ns
Напряжение питания — 1.2 V
Рабочая температура — -40°C to +95°C
Тип монтажа — Surface Mount
Интерфейс — POD
Количество выводов — 96
Статус RoHS — Compliant
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену