NT5AD512M16C4-JR vs MT40A512M16LY-075 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JR メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16LY-075 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16C4-JR MT40A512M16LY-075
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $73.75 $27.89
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリ構成 512M x16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
データレート 1.6 GHz (DDR4-3200) DDR4-2666
パッケージ TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
動作温度範囲 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Clock Speed — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
実装タイプ — Surface Mount

データシート&リソース

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