NT5AD512M16C4-JR vs MT40A512M16LY-075 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JR par Nanya Technology et MT40A512M16LY-075 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-JR | MT40A512M16LY-075 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $73,75 | $27,89 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Débit de données | 1.6 GHz (DDR4-3200) | DDR4-2666 |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Clock Speed | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Internal Banks (x16) | — | 8 (2 groups of 4 banks) |
| Refresh Time at TC -40°C to 85°C | — | 64ms |
| Refresh Time at TC >85°C to 95°C | — | 32ms |
| Refresh Time at TC >95°C to 105°C | — | 16ms |
| Type de montage | — | Surface Mount |