NT5AD512M16C4-JR vs MT40A512M16LY-075 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок NT5AD512M16C4-JR от Nanya Technology и MT40A512M16LY-075 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр NT5AD512M16C4-JR MT40A512M16LY-075
Бренд Nanya Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $73,75 $27,89
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Организация памяти 512M x16 512M x 16
Density 8 Gbit 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Скорость передачи данных 1.6 GHz (DDR4-3200) DDR4-2666
Корпус TFBGA-96 96-FBGA (7.5x13.5 mm)
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C 0°C to +95°C
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Clock Speed — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
Internal Banks (x16) — 8 (2 groups of 4 banks)
Refresh Time at TC -40°C to 85°C — 64ms
Refresh Time at TC >85°C to 95°C — 32ms
Refresh Time at TC >95°C to 105°C — 16ms
Тип монтажа — Surface Mount

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену