NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M16JY-083E 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JRU メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16JY-083E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M16JY-083E
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $83.00 $5.85
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Automotive)
Density 8 Gbit 8 Gbit
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns)
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA (8 x 14 mm)
動作温度 -40 C to +95 C (industrial grade) —
インターフェース CMOS, DDR4 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Green Product (per Nanya product page) —
データレート — 2400 MT/s (speed grade -083E)
VDD Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VDDQ Supply Voltage — 1.2 V +/- 60 mV
VPP Supply Voltage — 2.5 V, -125 mV, +250 mV
I/O Interface — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Refresh Structure — 8192-cycle refresh
Refresh Window — 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C
ECCN — EAR99
ハロゲンフリー — Compliant
Country of Origin — China

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