NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M16JY-083E 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $83.00 | $5.85 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| 동작 온도 | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| 인터페이스 | CMOS, DDR4 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Green Product (per Nanya product page) | — |
| 데이터 속도 | — | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| 할로겐 프리 | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |