NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E 比較

詳細な並列比較: NT5AD512M16C4-JRU メーカー: Nanya Technology および MT40A512M8SA-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M8SA-062E MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x8, 3200 | Micron

MT40A512M8SA-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ NT5AD512M16C4-JRU MT40A512M8SA-062E
ブランド Nanya Technology Micron Technology
カテゴリ DRAM DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $83.00 $5.35
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
メモリ構成 512M x 16 512M x 8
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 96-ball FBGA (PBGA96) 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B
動作温度 -40 C to +95 C (industrial grade) —
インターフェース CMOS, DDR4 Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Green Product (per Nanya product page) —
メモリサイズ — 4 Gbit
データレート — 3200 MT/s (DDR4-3200 class)
Access Time — 13.75 ns
Write Cycle Time — 15 ns
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP Supply — 2.5 V (-125 mV / +250 mV)
VREFDQ — On-die internal adjustable generation
Operating Temperature (TC max) — up to 95 degrees C
Package Flow — :F (lead-free / RoHS)
実装スタイル — SMD/SMT

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