NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M8SA-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M8SA-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A512M8SA-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $83.00 | $5.35 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (PBGA96) | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B |
| 동작 온도 | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| 인터페이스 | CMOS, DDR4 | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Green Product (per Nanya product page) | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| 데이터 속도 | — | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| VDD / VDDQ | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Operating Temperature (TC max) | — | up to 95 degrees C |
| Package Flow | — | :F (lead-free / RoHS) |
| 장착 스타일 | — | SMD/SMT |