NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 比較
詳細な並列比較: NT5CC256M16DN-FLNA メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646D-BYH9 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.00 | $2.30 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| データレート | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| CASレイテンシ | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 動作温度範囲 | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| インターフェース | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| 動作温度 | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |