NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DN-FLNA von Nanya Technology und K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| Datenrate | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| CAS-Latenz | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| Schnittstelle | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V |
| Betriebstemperatur | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |